Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie.
Características principales
- Transistor RF tipo N de alta potencia
- Frecuencia máxima de operación: 520 MHz
- Potencia de salida: 8 W
- Voltaje de operación: 7.5 Vcc
- Ganancia de potencia: 11 dB
- Eficiencia en RF: 55%
- Diseño SMD para montaje superficial
- Excelente estabilidad térmica
- Manejo de VSWR 20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie
Especificaciones técnicas
Tipo de dispositivo
Transistor RF FET Canal N
Frecuencia máxima
520 MHz
Potencia de salida
8 W
Voltaje de operación
7.5 Vcc
Ganancia de potencia
11 dB
Eficiencia RF
55%
Tipo de encapsulado
SMD (montaje superficial)
Manejo VSWR
20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB sobremodulación
Caracterización
Parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie
Estabilidad
Excelente estabilidad térmica
Aplicaciones típicas
- Amplificadores de fuente común de gran señal
- Equipos FM portátiles de 7.5 V
- Aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha
- Sistemas de comunicación en frecuencias hasta 520 MHz
Características
- Alta ganancia de potencia de 11 dB
- Eficiencia del 55% en operación RF
- Operación estable hasta 520 MHz
- Excelente estabilidad térmica integrada
- Soporta VSWR 20:1 en condiciones extremas
- Encapsulado SMD para montaje superficial
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