Transistor bipolar NPN diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en banda VHF, optimizado para operación a 160 MHz con potencia de salida de 40 W. Su configuración de emisor común y alimentación a 13.6 Vcc lo hacen ideal para sistemas de comunicaciones profesionales. El diseño térmico eficiente permite manejar disipaciones de hasta 70 W manteniendo estabilidad en condiciones exigentes. La impedancia de entrada caracterizada (1.0 + j0.4 a 160 MHz) facilita el acoplamiento con etapas driver en diseños de amplificadores RF.
Características Principales
- Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
- Potencia de salida de 40 W con 5 W de excitación
- Operación estable a 13.6 Vcc
- Diseño compacto con eficiencia térmica optimizada
- Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
- Impedancia Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz
Especificaciones Técnicas
Básicas
TipoTransistor bipolar NPN
Frecuencia160 MHz
Tensión alimentación13.6 Vcc
ConfiguraciónEmisor común
AplicaciónComunicaciones VHF
Límites Máximos
VCBO36 V
VCEO16 V
VCES36 V
VEBO4.0 V
IC8.0 A
PDISS70 W
TJ+200 °C
TSTG-65 a +150 °C
Dinámicas
POUT40 W (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
GP9 dB (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
COB95 pF (f=1 MHz, VCB=15 V)
Estáticas
BVCES36 V (IC=15 mA, VBE=0 mA)
BVCEO16 V (IC=50 mA, IB=…)
Características
- Operación estable en comunicaciones VHF
- Eficiencia térmica optimizada en diseño compacto
- Impedancia controlada Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz
- Ganancia de potencia de 9 dB a frecuencia nominal
- Disipación térmica de 70 W para alta demanda
- Rango de temperatura de unión hasta +200 °C
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