Este transistor MOSFET de doble puerta con canal N está diseñado para aplicaciones que demandan alta eficiencia y control preciso del flujo eléctrico. Su arquitectura de doble puerta permite una modulación superior de la señal, resultando ideal para circuitos de radiofrecuencia y comunicaciones. Opera eficientemente en bandas de frecuencia de hasta 105 MHz, garantizando estabilidad térmica y eléctrica en condiciones exigentes. El encapsulado TO-18 ofrece una construcción compacta y mecánicamente resistente, facilitando su integración en equipos profesionales de telecomunicaciones, instrumentación y sistemas de RF.
Características Principales
- Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia
- Canal N para control preciso del flujo eléctrico
- Frecuencia máxima de operación de 105 MHz
- Encapsulado TO-18 compacto y resistente
- Alto aislamiento con tecnología avanzada de interfaz
- Diseño optimizado para aplicaciones de alta frecuencia
Especificaciones Técnicas
Tipo de Dispositivo
Transistor MOSFET
Configuración de Puerta
Doble Puerta
Tipo de Canal
Canal N
Frecuencia Máxima
105 MHz
Encapsulado
TO-18
Aislamiento
Alto (tecnología de interfaz avanzada)
Características
- Doble puerta para alta eficiencia energética
- Canal N para control preciso del flujo eléctrico
- Operación optimizada hasta 105 MHz
- Encapsulado TO-18 compacto y robusto
- Alto aislamiento con tecnología de interfaz avanzada
- Diseño especializado para aplicaciones de alta frecuencia
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