Módulo protector individual para redes Gigabit Ethernet que utiliza tecnología de diodos de avalancha de silicio (SASD), la cual no se degrada al oponerse a sobretensiones transitorias, a diferencia de los varistores de óxido de metal (MOV) que deterioran su capacidad de protección con el tiempo. Diseñado para instalarse en chassis TCPXE8P, este protector garantiza la continuidad operativa de equipos de red IP en entornos críticos. Su baja capacitancia de 3 pF preserva la integridad de la señal a velocidades de 1000 Mbps, mientras que su rango térmico extendido de -40°C a 75°C permite despliegues en condiciones industriales severas.
Características principales
- Tecnología SASD (diodos de avalancha de silicio) no degradable
- Protección óptima contra sobretensiones eléctricas
- Protocolo Gigabit Ethernet compatible hasta 1000 Mbps
- Baja capacitancia de 3 pF para señal estable
- Pines protegidos (1,2) y (3,6) con aterrizaje
- Operación confiable de -40°C a 75°C
Especificaciones técnicas
Tecnología de protección
SASD (diodos de avalancha de silicio)
Velocidad de datos
1000 Mbps (Gigabit Ethernet)
Capacitancia
3 pF
Pines protegidos
(1,2) y (3,6) con aterrizaje
Rango de temperatura
-40°C a 75°C
Chassis compatible
TCPXE8P
Configuración
Módulo individual
Características
- Tecnología SASD no degradable con el tiempo
- Protección de pines (1,2) y (3,6) con aterrizaje
- Baja capacitancia de 3 pF para señal estable
- Respuesta ultrarrápida a sobretensiones
- Operación confiable en extremos térmicos
- Compatible protocolo Gigabit Ethernet 1000 Mbps
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